真空爐
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鉬旋轉(zhuǎn)靶材
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產(chǎn)品編號(hào)
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產(chǎn)品描述
參數(shù)
濺射是一種先進(jìn)的薄膜材料制備技術(shù),它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中加速聚集成高速離子流,轟擊固體表面,離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表面,從而形成納米(或微米)薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。鎢鉬濺射靶可在各類基材上形成薄膜,這種濺射膜廣泛用作電子部件和電子產(chǎn)品,如目前廣泛應(yīng)用的TFT-LCD(Thin Film Transitor-Liqu id C rysta l Displays,薄膜半導(dǎo)體管-液晶顯示器)、等離子顯示屏、無機(jī)光發(fā)射二極管顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器、薄膜太陽(yáng)能電池、傳感器、半導(dǎo)體裝置以及具有可調(diào)諧功函數(shù)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極等。
衡量靶材的質(zhì)量主要因素有純度、致密度、晶粒尺寸及分布等。
為保證靶材質(zhì)量，洛陽(yáng)愛科麥采用以下技術(shù)，
（1）選擇高純鉬粉作為原料；
（2）快速致密化的成形燒結(jié)技術(shù),以保證靶材的低孔隙率,并控制晶粒度；
（3）制備過程嚴(yán)格控制雜質(zhì)元素的引入；
（4）對(duì)部分高要求產(chǎn)品采用熱等靜壓方法，此方法制得的鉬鈮靶材了95％～99％的極高密度細(xì)晶粒產(chǎn)品。
此外，靶材還有以下優(yōu)勢(shì)：
1.產(chǎn)品大型化生產(chǎn)出了單張尺寸規(guī)格為1130mm*1200mm*10mm適合于G4.5代TFT鍍膜設(shè)備的鉬合金靶材。
2.為適應(yīng)市場(chǎng)提高靶材利用率需求，可制造長(zhǎng)度超過3米的旋轉(zhuǎn)靶材。
3.可生產(chǎn)10mm*200mm*L，適用于G8代線以上的純鉬靶材。
4.可用熱等靜壓設(shè)備制造出高質(zhì)量的金屬及陶瓷類靶材。
關(guān)鍵詞:
薄膜
固體
表面
顯示器
技術(shù)
半導(dǎo)體
產(chǎn)品
離子
濺射
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